RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
49
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
48
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
12.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3061
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link