RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
49
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3373
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link