RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
49
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3546
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link