RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
49
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
44
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3146
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link