RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
49
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
2,066.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2663
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link