RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
50
Wokół strony 2% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
2,066.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
50
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
10.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2248
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link