RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
49
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
2,066.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2502
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link