RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
49
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2589
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link