RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
49
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
21
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3427
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link