RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
49
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2732
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link