RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
54
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
54
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2938
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link