RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
49
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
2,066.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2322
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link