RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
59
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
2,066.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
59
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
1954
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link