RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
21.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
18.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
49
Wokół strony -188% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
17
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
21.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
18.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3528
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link