RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
49
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2379
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link