RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
49
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
48
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2366
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link