RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
49
Wokół strony -158% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
19
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3681
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link