RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
49
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2948
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link