RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
62
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
2824
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link