RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
34
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3700
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link