Porównanie pamięci RAM Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Wynik ogólny

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

27 31

Wokół strony 13% niższe opóźnienia

Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

20.5 16.7

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

15.5 11.8

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

25600 21300

Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2756 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns