RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
27
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3411
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link