RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
51
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3014
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link