RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Avexir Technologies Corporation T 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
34
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
8.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
5.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
21
Prędkość odczytu, GB/s
8.6
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.8
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1682
2801
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link