RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
29
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
17
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
22.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3731
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link