RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
29
Около -71% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
17
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
22.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3731
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link