RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
30
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
1651
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link