RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3562
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link