RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
19.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3562
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link