RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
65
90
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
1,592.0
1,140.4
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
90
65
Prędkość odczytu, GB/s
2,699.0
3,580.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,140.4
1,592.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
5300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
436
572
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD3L-U4G28HA-16K 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link