RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
65
90
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
1,592.0
1,140.4
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR2
Задержка в PassMark, нс
90
65
Скорость чтения, Гб/сек
2,699.0
3,580.8
Скорость записи, Гб/сек
1,140.4
1,592.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
5300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
436
572
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB Сравнения RAM
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link