RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
65
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.8
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
5.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
1699
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link