RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
65
Rund um -132% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.8
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
13.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
5.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
1699
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link