RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
65
Wokół strony -171% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.8
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
19.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
4394
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link