RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
21.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
65
Около -171% меньшая задержка
Выше скорость записи
19.8
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
21.1
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
19.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
4394
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link