RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
65
Wokół strony -171% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2462
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link