RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
65
Wokół strony -110% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3642
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston 99U5471-002.A00LF 2GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link