Porównanie pamięci RAM Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB vs Kingston KF548C38-16 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB vs Kingston KF548C38-16 16GB

Wynik ogólny

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

20.5 14.8

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

15.5 12.8

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

25600 19200

Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma

Powody do rozważenia
Kingston KF548C38-16 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

29 31

Wokół strony -7% niższe opóźnienia

Pełna lista specyfikacji technicznych

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Kingston KF548C38-16 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 38
Taktowanie / szybkość zegara

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz no data / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

3649 3319

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns