RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
65
Wokół strony -171% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2946
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link