RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
71
Wokół strony 66% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
71
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1773
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link