RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
71
Wokół strony 66% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
71
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1773
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link