RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
71
Около 66% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
71
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1773
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB Сравнения RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Kingston 9905471-001.A00LF 2GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link