RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
39
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
39
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3177
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link