RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
39
Около 38% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
39
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3177
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link