RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
24
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
18
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3530
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link