RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
41
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
41
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2044
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link