RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
100
Wokół strony 76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
100
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1479
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link