RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
61
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
1,670.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,529.3
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,670.4
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
517
2349
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-A8KB5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link