RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Porównaj
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Wynik ogólny
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wynik ogólny
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
65
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
2,160.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
65
Prędkość odczytu, GB/s
5,987.5
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,160.7
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
957
2041
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link