RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Porównaj
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
20.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,160.7
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
43
Wokół strony -126% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
19
Prędkość odczytu, GB/s
5,987.5
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,160.7
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
957
3724
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link