RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Porównaj
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2418
3026
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
INTENSO 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link